以上就是中微半导体发明的应用于MOCVD领域在基片上生长缓冲层的方法 ， 在该方案的缓冲层生长过程中 ， 边缘区域多晶结构的缓冲层中出现的裂缝不会沿着晶格结构延伸到中区域单晶结构的缓冲层中 ， 从而可以大幅提高半导体器件的生产效率 。
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【【专利解密】消除裂缝求“生存” 中微半导体发明基片上生长缓冲层方案】（校对/holly）

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