申请人|从全球专利储备看GaN创新方向和潜在新秀( 四 )

中国三安光电
中国LED龙头三安光电在GaN领域有一定技术储备。2014年，该公司投资建设GaN高功率半导体项目；2018年，在福建泉州斥资333亿元投资Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、LED外延、芯片、微波集成电路、光通讯、射频等产业。
三安光电从2001年开始申请GaN-LED相关专利，在此前的专利来自索尼、夏普等转让，目前专利超过1200件，主要是LED技术。2004年至2010年器件的专利增长主要来自2013年全资收购的Luminus，2012年后专利申请量进一步快速增长，主要受第三代半导体功率器件的推动。

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资料来源：智慧芽
三安光电也集中于产业链中游——器件模组的研究。其布局的器件类型主要包括可见光LED、紫外LED、Micro/Mini LED和GaN基FET。2016年后，三安光电对可见光LED的专利申请量逐渐下降，并开始增加对Micro/Mini LED、GaN基FET的专利申请。
结语
集微咨询（JW insights）认为，随着GaN技术成熟度进入稳步提升的光明期，与GaN相关的专利申请活动越来越活跃。随着越来越多的玩家进入赛场，GaN专利版图也在不断演变。在这一变局下，我国企业作为后来者要牢牢把握这一换道机遇，也有机会在新兴领域与全球企业处于同一起跑线，应迎难而上实现技术创新，驱动行业快速发展。

来源：集微咨询