英飞凌|氮化镓正在改变世界中国企业发力强劲( 三 )

四、氮化镓三大重点技术解析
首先，GaN衬底技术是器件降本的突破口，当前正从小批量规模向产业商业化方向发展，同时向大尺寸和高晶体质量方向发展。GaN单晶衬底以2-3英寸为主，4英寸已实现商用，6英寸已实现样本开发；GaN异质外延衬底则已实现6英寸产业化，8英寸正在进行产品研发。
全球GaN衬底技术共有13000多件专利，其中有效专利量4800多件，占比为35.2%。其中，审中专利占比较少，可见未来有效专利增长空间较小。此外，日本和美国两大市场分布的专利较多。全球衬底技术排名靠前的专利申请人以日本企业居多，整体技术实力较强，且日本住友在衬底领域技术储备占有绝对优势。
第二，在氮化镓基FET器件技术的应用中，车规级氮化镓功率器件市场规模进入新纪元，其市场规模不断升高。在电动汽车领域，目前EPC和Transphorm已经通过了车规认证。与此同时，BMW i Ventures对GaN Systems公司的投资，表明了汽车行业越来越认可和重视GaN功率器件解决方案应用于电动汽车及混合动力汽车（EV/HEV）。
整体上，氮化镓基FET器件正在向多单元模块化发展。在这一领域中，美国、日本和中国为GaN基FET器件热点布局的市场，其中重点为美国市场。自2000年起，该技术领域开始快速发展，且到2010年后，发展速度进一步加快。头部企业中，日本企业仍占据大多数，且美国Cree和英特尔也占有一定的优势。
第三，Micro LED应用场景广泛涵盖微显示和数字终端领域，未来可期。可穿戴设备以及超大屏显示将于2021年进入市场。据分析机构Yole预测，至2025年产业链成熟后，或将达到3.3亿台的出货量。
Micro LED显示技术的优势是自发光、低功耗、高亮度、超高分辨率、小尺寸和高色彩饱和度，十分符合显示屏领域轻薄化、小型化、低功耗、高亮度的发展方向。因此，高反应速度的Micro LED是现今非常热门的新一代显示概念，将成为LED未来的发展方向。
在Micro LED领域，巨量转移技术是该领域发展的重点。Micro/Mini LED技术在近5年处于高速发展期，中国专利申请趋势与全球总体一致，并且近5年的发展势头迅猛，全球领先。在这一技术的全球主要专利申请人中，Facebook和苹果公司分别位列第一、第二，国内企业如京东方、歌尔股份、三安光电等也都名列前茅。
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英飞凌|氮化镓正在改变世界中国企业发力强劲( 三 )