|LT1158 IC构建带过电流关断的大电流半桥

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这里介绍的项目是一个多功能高压半桥，具有过电流关断功能。该项目使用模拟设备的LT1158 IC构建。它适用于下面列出的许多应用。 LT1158上的一个输入引脚同步控制两个N沟道功率MOSFET IRF3710 。针对穿透电流的独特自适应保护消除了两个MOSFET的所有匹配要求。这大大简化了高效电机控制和开关调节系统的设计。 LT1158中的连续电流限制回路调节顶部功率MOSFET中的短路电流。只要MOSFET VDS不超过1.2V ，就允许有更高的启动电流。通过将故障输出返回到启用输入， LT1158将在发生故障时自动关闭，并在内部上拉电流重新给启用电容器充电后重试。当需要连续打开顶部的N沟道MOSFET时，片上电荷泵被打开。特殊电路确保在PWM和DC操作之间的转换中安全地保持顶部栅极驱动。在更高的电源电压下工作时，栅极到源极的电压在内部限制为14.5V 。该电路需要单个PWM信号，占空比为0至99% ，频率为0至100Khz 。工作电源范围为12V至24V DC 。

电路板
半桥驱动器配置为过电流关机，如果不需要此功能，请不要安装R7电阻器和C8电容器。
CN1：直流电源输入12V至24V DC
CN2：负载（电机、灯、LED、DC-DC转换器）
CN3：针脚1 VCC、针脚2启用、针脚3故障、针脚4 PWM In、针脚5接地
特性：
电源范围为12V至24V
负载7安培
过电流约7.5安培关机
PWM频率输入范围0至100Khz
PWM占空比0至99%
D2电源LED
【|LT1158 IC构建带过电流关断的大电流半桥】连续限流保护
内置栅极电压保护
与电流传感MOSFET兼容
TTL/CMOS输入
PCB尺寸69.22 x 55.88毫米

电路图