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包括欧美在内的很多国家 , 都知道掌握核心科技的重要性 , 谁能掌握前沿的科学技术 , 就意味着能拥有更多的话语权 。 毫无疑问 , 芯片已成为目前各地区公认的科技利器 , 其广泛的应用范围 , 再加上芯片产业本身带来的经济效益 , 让美国在芯片上压下了大筹码 。
让美国没想到的是 , 虽然芯片断供初显成效 , 波及到了不少企业对芯片的需求 , 但这依然无法改变国内企业自研芯片的决心 。
很多人都知道 , 目前台积电和三星掌握着5nm及以下工艺制程的芯片制造技术 , 并拥有超过70%的全球芯片产能 。 反观国内 , 目前14nm芯片还未量产 , 不少人就开始着急了 , 我们什么时候才能有自己的5nm芯片呢?
与此同时 , 围绕光刻机、刻蚀机、芯片材料、芯片技术等方面的顾虑 , 足以表明 , 大家都看到了芯片的重要性 。
不过 , 正如美国一样 , 很多人都忽视了一个细节 。 芯片并不是一个单纯的产品 , 从功能、工艺、性能、用途等方面 , 芯片都可以分为很多种类 。
高端芯片虽然很重要 , 但依然无法代表芯片产业的全部 。
就以常见的CPU芯片、储存芯片为例 , 近日国内的长江储存就传来好消息 , 综合性能远超国际巨头 , 让美国始料未及 。
长江储存成立于2016年 , 这家成立不到5年的企业 , 成为了在半导体产业上的一匹黑马 。
就在很多企业都一门心思地提高芯片工艺制程时 , 长江储存将研发的重心 , 放在了储存芯片上 。
对于一台电子设备 , 除了核心的CPU芯片会影响整体的运算性能之外 , 设备对数据的读取速度 , 也将直接影响设备的整体性能 。
就像一台大功率的抽水机 , 要想将功效发挥到极致 , 还需要配有合适粗细的水管 。 储存芯片就像这根水管一样 , 成为让CPU芯片大展身手的关键因素之一 。
在过去的数十年中 , 储存芯片领域 , 几乎听不到中企的名字 。 三星、美光、海力士三家企业 , 以其多年的技术积累 , 在储存芯片领域形成了“三足鼎立”的局面 。
近日 , 长江储存公布了其最新的3D NAND闪存芯片技术 , 借助这种新技术 , 长江储存超越三星、美光和海力士 , 率先实现了128层堆栈闪存芯片 , 使得这种储存芯片的储存密度 , 达到了8.48Gb/mm 。
储存芯片与CPU芯片类似 , 单位面积的储存密度越大 , 意味着储存芯片的性能越好 。 高效率的数据读取与储存 , 将使得设备的性能 , 得到很大的提升 。
如果这样还不能凸显长江储存3D NAND闪存芯片技术的优势 , 再看一组数据 。
以过去储存芯片的三巨头为例 , 三星、美光和海力士分别能达到的最高储存芯片密度分别为:6.91Gb/mm、7.76Gb/mm、8.13Gb/mm 。 从数据中就能明显看出 , 长江储存在技术上 , 已经超越三巨头 , 成为储存芯片领域的领头羊 。
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