澜起科技|三星在存储领域投资217亿美元，DDR5蓄势待发

电子发烧友网报道（文/程文智）最近，据韩国媒体报道，三星电子预计今年在半导体行业投资35万亿韩元（约316亿美元），其中，存储半导体投资约24万亿韩元（约217亿美元），晶圆代工领域投资11万亿韩元（约99亿美元）。报道称此次投资将会主要集中在西安二期工厂和平泽P2工厂。据悉，存储相关设备的投资已经先行。
西安二期为NAND Flash工厂，目前已订购的设备将在今年6-7月交付产线用于生产128层V6 3D NAND。消息称，西安二期工厂建成后合计月产能可达12万片，约占三星电子全球产量的40%。
而平泽P2工厂为NAND Flash、DRAM和晶圆代工混合产线，产线扩充之后预计NAND Flash月产能将增加18-30K；DRAM月产能将增加30-60K；晶圆代工月产能增加20K。
据了解，三星电子已经开始订购相关的半导体设备。韩国媒体报道特别指出，三星电子已于本月15日与DI签署了一份合同，为下一代DRAM存储器的标准产品DDR5购买价值3130万美元（345亿韩元）的半导体检测设备。其实，三星电子在2020年2月份就宣布了成功研发出了DDR5芯片，预计2021年下半年可以实现量产。
DDR5今年将接棒DDR4，它有哪些优点？
自2012年9月，JEDEC协会宣布DDR4 SDRAM的最终规格到现在已经过去9年了。如今JEDEC协会在2020年7月正式发布了新的内存标准DDR5-SDRAM最终规格，预示着DDR5将会接棒DDR4成为新的主流标准。
从JEDEC协会公布的信息来看，与上一代DDR4标准相比，DDR5将主电压从1．2 V降低至1．1 V，最大芯片密度提高了4倍，最大数据速率提高一倍，突发长度增加一倍，存储单元组数增加一倍。可以说在速度、容量、能耗和稳定性等方面，DDR5都来了一次全面的提升。

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图：DDR5标准与DDR4标准的密度、速率和电压比较。（来源：Synopsys）虽然DDR5的最高速率可高达6400Mbps，但能达到这个速率的产品近期应该不会出现，最先推出的产品应该是4800Mbps的产品，随后才会推出5600Mbps，再然后才会有6400Mbps的产品出现。
其实从速率方面来看，DDR5发展还没有LPDDR5快，LPDDR5的速率会更快，有业界人士表示，如果应用更加注重性能而看重容量，则可以先选择LPDDR5的产品。

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图：DDR5的关键特性分析。（来源：Synopsys）新的DDR5除了容量更大，速度更快之外，也有一些杀手锏，比如双通道DIMM、突发长度、占空比调节器、片上ECC等等。
具体来说，双通道DIMM可以操控更多的核数量，以提升通道效率，进而优化内存整体的能效。
片上ECC则强化了片上RAS，减轻了控制器的负担。
增加了数据突发长度，DDR5将缺省的数据突发长度（Burst Length）从DDR4标准的BL8增加到了BL16，这样就提高了命令／地址和数据总线的效率。也就是说，相同的CA总线读写事务可以在数据总线上实现两倍的数据量，同时限制在同一Bank内受到IO／阵列时序限制的风险。突发长度的增加也可减少相同的64B缓存线数据负载存取所需的IO数量，减少存取特定数据量所需的命令，这对于功耗的控制十分有利。
此外，还有有占空比调节器、 DRAM接收DQ均衡、内部DQS延迟监控等关键特性。

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图：DDR4特性与DDR5特性对比（一）。

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图：DDR4特性与DDR5特性对比（二）。DDR5将首先在服务器领域得到应用