半导体行业观察最有深度的半导体新媒体|东芝功率半导体的进击( 二 )

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东芝PPI产品屈兴国还在介绍中指出，之所以这种PPI封装的模块拥有那么多优势，这主要与其内部无引线健合（所以能够实现高可靠性）、采用了双面散热压接方式（因此能实现高散热性）和采用陶瓷外壳封装（防爆性能）的设计有关。这种独特的设计也能帮助其实现更高的工作电流。

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东芝PPI产品线如下图所示，为了方便开发者更快地将IEGT应用到公司的产品中，东芝联合青铜剑、雅创推出了一个半桥模组的子单元参考设计，在这个设计中，他们还预留了水冷的接口，为开发者进一步降低整个设计的温度提供了可能。 “这样的设计让我们的IEGT能够在大功率的风电和工业驱动等市场受到青睐。在国内， IEGT则在电网的建设中发挥了重要的作用” ，屈兴国说。从他的介绍我们得知，国内正在推动的柔性直流输电，在发送和接收两端都会用到不少的IEGT模块，这些模块的存在能够帮助电网实现更好的电力传输。

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东芝PPI配套驱动器和压接装置IEGT以外， SiC则是东芝另一个押注的方向。据东芝介绍，与硅（Si）相比，碳化硅（SiC）是一种介电击穿强度更大、饱和电子漂移速度更快且热导率更高的半导体材料。因此，当用于半导体器件中时，碳化硅器件与硅器件相比可以提供高耐压、高速开关和低导通电阻。鉴于该特性，其将成为有助于降低能耗和缩小系统尺寸的下一代低损耗器件。基于这样的考虑，东芝推出了SiCMOSFET、SiC二极管和SiCMOSFET模块等产品。其中，东芝的1200VSiCMOSFET产品，可提供高速开关和低导通电阻，使其在高功率、高效率的工业电源、低损耗的太阳能逆变器和UPS产品中脱颖而出；而SiCMOSFET模块具有高速开关性能，这是一种针对低损耗和小型化应用设计的新型材料，适用于工业电源转换器，例如电力铁路的逆变器和光伏逆变器；在SiCSBD方面，东芝则提供了额定电流为2A至10A的650V产品。屈兴国表示，东芝当前只有面向轨道交通的SiC产品，但也已计划SiC在新能源汽车上的应用，在他看来， SiC在车载应用的需求正在迅速发展。 “在东芝看来，功率半导体未来将会在车载和工控这两个市场发挥重要的作用，这两个市场也将是东芝半导体未来的发力方向” ，屈兴国最后说。

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