mimo|恩智浦半导体宣布实现5G 重大里程碑突破

降低能源消耗是电信基础设施的一个主要目标，每个效率点都很重要。

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恩智浦半导体表示，已宣布将氮化镓 (GaN) 技术集成到其多芯片模块平台中，从而成为 5G 能效的重要行业里程碑。基于该公司在亚利桑那州的 GaN 晶圆厂（美国最先进的射频功率放大器专用晶圆厂）的投资，恩智浦率先推出了面向 5G 大规模 MIMO 的射频解决方案，该解决方案将 GaN 的高效率芯片模块与多通道器件的紧凑性相结合。
降低能源消耗是电信基础设施的一个主要目标，每个效率点都很重要。在多芯片模块中使用 GaN 可将 2.6 GHz的产品线效率提高至 52%，比公司上一代模块高 8 个百分点。恩智浦通过在单个器件中专有的 LDMOS 和 GaN 组合进一步提高了性能，提供 400 MHz 的瞬时带宽，从而可以使用单个功率放大器设计宽带无线电。
这种能效和宽带性能现在可在恩智浦 5G 多芯片模块的小尺寸中实现。新产品组合将使 RF 开发人员能够减小无线电单元的尺寸和重量，帮助移动网络运营商降低在蜂窝塔和屋顶上部署 5G 的成本。在单个封装中，这些模块集成了多级传输链、50 欧姆输入/输出匹配网络和 Doherty 组合器——恩智浦现在正在使用其最新的 SiGe 技术添加偏置控制。这一新的集成步骤消除了对单独模拟控制 IC 的需求，并提供了更严格的功率放大器性能监控和优化。
【 mimo|恩智浦半导体宣布实现5G 重大里程碑突破】恩智浦无线电电源业务线执行副总裁兼总经理 Paul Hart 表示：“恩智浦开发了一个专门用于 5G 基础设施的独特技术工具箱，其中包括专有的 LDMOS、GaN 和 SiGe，以及先进的封装和射频设计 IP。 “这使我们能够利用每个元素的优势，并针对每个用例以最佳方式将它们组合起来。”