没人能把台积电“挑下马”了吗?韩媒:三星EUV产线情况不妙

对许多国际芯片巨头而言，找别人为自己代工生产芯片已经是一个“最佳选择” 。我们可以看到，像是苹果、高通、英伟达、AMD、还有被美国制裁之前的华为海思全都没有自己的芯片工厂。根据市场研究机构TrendForce统计的资料显示， 2021年第一季，台积电在全球晶圆代工市场市占率一骑绝尘，高达55% ，第二名的三星才17% 。

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一家公司或实体拿下了过半的市占，不管在任何行业来说，绝对是失去平衡的。更不用说芯片供应事关所有国家的科技发展和产业未来，这又变得更严峻了。不管台积电怎么想，但事实上，它已经成了美国打压中国大陆科技的“左膀右臂” ，包括断供华为、还有做超级电脑的天津飞腾等，都历历在目。这么依赖台积电，真的好吗？

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放眼全球，目前有能力跟台积电叫板的也只有韩国三星了，而且三星已经定下《半导体愿景2030》的目标，预计砸1160亿美元发展旗下晶圆代工业务，力拼在2030年取代台积电成为全球代工龙头。

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更重要的是，对我们而言，相比于台积电，韩国厂商跟中国大陆的合作更为真诚，包括三星就把本土之外最大的芯片生产基地设在西安，另一家半导体巨头SK海力士也拉上无锡产业集团一起成立合资公司，在中国展开晶圆代工业务。

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不过，最新消息传出，三星挑战台积电的过程似乎并不太顺利。韩国媒体《BusinessKorea》日前报道称，三星最新、最先进的华城园区V1产线，情况不太妙，一般来说良率达到95%才算合格，但目前V1产线还存在部分5纳米制程良率低于50%的问题。
【没人能把台积电“挑下马”了吗?韩媒:三星EUV产线情况不妙】V1产线对三星意义重大，这是全世界第一条采用极紫外光设备（EUV）生产7纳米制程芯片的产线，很先进、很新， 2020年2月才正式启用，现在渐渐从7纳米全面推进到5纳米。

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这也解释了为什么高通今年的旗舰芯片骁龙888在采用三星5纳米制造后，效能竟然不如预期。难道，真的没人能把台积电拉下来了吗？未必，三星正在憋一个“大招” ，打算在2022年采用环绕闸极（Gate-All-AroundGAA）架构这种新技术来生产3纳米芯片，一举超越台积电。

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其实， GAA说是新技术，但严格说来也不新，因为早在1988年， GAA就问世了。相比于现在主流的鳍式场效架构(FinFET) ，理论上， GAA的栅极宽度更广，同时拥有更好的静电特性，性能与功耗大幅改善。但在当时，受限于光刻工艺精度不够，电晶体通道只能加宽1或2倍，采用GAA反而会使得效率变差，因此， FinFET才更早一步被先进製程领域广泛采用，但现在得益于EUV光刻技术问世， GAA架构也成为了现实的选择。

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至于台积电，虽然也在发展3纳米，并预料也在2022年量产，但台积电的3纳米制程已确定将维持FinFET架构， GAA得等到2纳米制程才会开始导入，一旦采用GAA的三星3纳米比采用FinFET的台积电3纳米能效更强，那么国际芯片巨头的订单也会向三星纷至沓来，或许这就是三星能不能把台积电“挑下马”的关键时间点。