宽带|《炬丰科技-半导体工艺》宽带隙和超宽带隙半导体蚀刻

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：宽带隙和超宽带隙半导体蚀刻
编号：JFKJ-21-075
作者：炬丰科技
I. 介绍
商用的两种宽带隙半导体

是 SiC 和 GaN，这两种材料都用于功率开关和功率放大器应用的器件，用于自动驾驶汽车的激光雷达传感器，转换器和机器人运动控制也有新兴市场，电力电子设备负责控制和转换电力，为输电、配电和负载消耗提供最佳条件。这些应用中使用的高压开关晶体管需要具有小的导通电阻，同时在关断状态下提供非常高的阻断电压。实现高功率转换效率需要低损耗功率半导体开关。半导体器件用于三端开关或两端整流器，当正向偏置时，导通状态下的电阻应最小，并且在关断状态下应支持大阻断电压 VB。

一、宽带隙和超宽带隙半导体的干法蚀刻略
二、等离子体化学略
1.宽带隙
2.碳化硅
【宽带|《炬丰科技-半导体工艺》宽带隙和超宽带隙半导体蚀刻】三、超大尺寸带隙
四、总结和结论略