化学气相沉积|《炬丰科技-半导体工艺》扩散和离子注入

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：氮化镓化学气相沉积工艺
编号：JFKJ-21-074
作者：炬丰科技
扩散和离子注入是将受控量的掺杂剂引入半导体和改变导电类型的两个关键过程。图 8.1这两种技术以及由此产生的掺杂剂分布。在扩散过程中，掺杂原子是通过使用掺杂氧化物源从气相中引入的。掺杂浓度从表面递减，掺杂的深度分布主要由温度和扩散时间决定。图 8.1b 揭示离子注入工艺，这将在第 9 章讨论。一般来说，扩散和离子注入是相辅相成的。例如，扩散用于形成深结，例如 CMOS 器件，而离子注入用于形成浅结，例如 MOSFET 的源极/漏极结。
硼是硅中最常见的 p 型杂质，而砷和磷则广泛用作 n 型掺杂剂。这三种元素在硅中的溶解度很高，这些掺杂剂可以通过多种方式引入，包括固体源、液体源和气体源。通常，气态源通过惰性气体输送到半导体表面，然后在表面还原。

文章插图

8.1扩散过程是浓度梯度略
8.2扩散曲线略
8.3恒定表面浓度扩散略
8.4恒定总掺杂扩散略
8.5 恒定表面浓度扩散略
【化学气相沉积|《炬丰科技-半导体工艺》扩散和离子注入】8.6恒定总掺杂扩散略