硬盘|大厂还会动这种手脚？现在买硬盘都要抽奖了

【硬盘|大厂还会动这种手脚？现在买硬盘都要抽奖了】最近正在考虑买固态硬盘的差友们，有款固态硬盘你们可能要避避坑了。
托尼先简单来给大家讲一下是怎么回事：前阵子，B 站有个科技区 UP 主发视频揭露西数新版本 SN550 固态硬盘缓外写入速度直接砍半，引来了不少关注。

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按照这位 UP 主 “ 潮玩客 ” 的说法，他收到粉丝反馈说西部数据 7 月出厂、固件以 23 开头的 SN550 1TB，居然毫无征兆把缓外写入速度从原来 800MB/s 降低到了400MB/s，没有告知消费者，也没有调低价格，随后他们经过实际测试，发现事情果然如此。

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而且在测试中他们还发现西数新批次 SN550 1T 固态不能刷回老的 211210 固件；之前批次的 SN550 1T 也不能刷新批次固态上的 233010 固件，这意味着尽管这些固态都叫 SN550 1T，它们的固件却不通用。

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因此，他们猜测西数可能在 SN550 的硬件上做了变动，从而导致新批次固态硬盘的缓外写入速度缩水。
这里很多差友可能还是第一次听说 “ 缓外 ” 写入速度这词，也不清楚它会对硬盘的使用产生哪些影响。
简单来说固态硬盘的缓存可以分为两种，一种是传统的 DDR 缓存，另一种则是 SLC 缓存，这个缓外写入速度指的就是硬盘缓存用完之后的写入速度。

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DDR 缓存属于内存颗粒，它跟电脑内存类似，硬盘在写入数据比较大的时候，主控会先把数据保存在 DDR 缓存，等空闲时再将数据写入到颗粒里，从而提高写入效率。
而 SLC 缓存则是那些厂商为了提高硬盘读写速度，在使用 MLC 和 TLC 颗粒的固态硬盘中腾出一部分颗粒来模拟 SLC 的存储方式，用空间来换取读写速度的提升。
用空间换取读写速度提升的原理很简单。
我们知道目前固态硬盘主流存储颗粒可以分为 SLC（单层存储单元）、MLC（双层存储单元）、TLC ( 三层存储单元 ) 还有 QLC ( 四层存储单元 ) 这四种。

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存储单元被分的越多，主控从颗粒中读取数据或者写入数据所花的时间就越长。
这就好比我们在书架拿书，每一层书架如果只放一本书，我们随手就能拿走；如果放了好几本，我们拿之前肯定还要仔细分辩一下到底找的是哪本。
其中 SLC 是四者中表现最出色的，这是因为它每个单元只存储 1bit 数据，比起每单元要存储 2bit 数据的 MLC 和 3bit 数据的 TLC 在读写速度上会快上不少。

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厂商在使用 MLC 和 TLC 颗粒的固态中设置一部分空间作为 SLC 缓存的做法说白了就是让这些原本要存储 2bit 或者 3bit 数据的存储单元只存储 1bit 数据。
虽然这么做硬盘的存储空间变小了，但是它的读写速度却上来了，这也是很多固态尽管使用了 TLC 颗粒，它的读写速度却能媲美 SLC 的重要原因。