纳米制程|三星:3纳米GAA制程研发进度领先台积电

【 纳米制程|三星:3纳米GAA制程研发进度领先台积电】据报道,三星电子装置解决方案事业部门技术长Jeong Eun-seung25日在一场网络技术论坛中表示,三星能够抢在主要竞争者台积电之前,宣布GAA技术商业化。GAA是3纳米制程的关键。GAA技术的优点在于改变电晶体架构,将之由鳍式场效电晶体(FinFET)的3D转为GAA的4D。(界面)