安森美|有望直线超车！进击的中国“第三代半导体”( 四 )

“第三代半导体”以氮化镓、碳化硅为代表的化合物半导体，主要面向三个市场：光电子、电力电子和微波射频，更通俗一点说，像手机快充、新能源车、轨道交通和国家电网等是民用领域的几大市场。
国内提出“第三代半导体”这个概念，主要是跨领域交流和工作汇报，因为行业术语有时让人理解困难。但这个词很容易也让人们产生一种错觉：第三代比第一代强。实际上，这类半导体材料在国际上的通用说法叫做“宽禁带”，指的是禁带宽度大于2.2eV的半导体材料。而在工信部等相关文件中和十四五规划里都称为“宽禁带”半导体，而非“第三代半导体”。
庞大的终端应用市场加上过去十余年间持续投入，我国在“第三代半导体”领域同国外先进企业的差距的确很小，但很小并不代表完全没有差距或者软肋。以碳化硅为例，最核心的问题是基础材料，比如高纯的碳粉和硅粉，我们在提纯技术上有差距；而在碳化硅设备里，我们缺乏高纯的石墨坩埚技术；做器件的时候，我们的光刻机、光刻胶也是个问题。碳化硅半导体的制造设备仍较多依赖进口，特别是“外延炉、离子注入机”等造价昂贵且有门槛的设备，动辄几百万上千万元人民币，主要还是靠买国外的，而氮化镓也面临类似问题。
总体而言，国内想要在“第三代半导体”领域有所建树并不难，但想要拥有完整的体系，并在系统体系上形成优势或超越，恐怕还有很长的路要走，这或许也是强链、补链、延链的意义。