5G、快充、新能源，「第三代半导体」加速弯道超车|芯征程

此外，现如今碳化硅衬底的抛光方法仍然存在损伤大、效率低、有污染等问题，需要进一步优化抛光技术。
而在产业方面，第三代半导体遇到的挑战则包括：熟练工人数量和质量、对半导体的理解，质量品控等行业积累。
目前，我国在第三代半导体领域的人才积累依旧薄弱——这也是我国半导体产业的整体弱势之一——但目前我国已经加快了产学研的相关投入，将集成电路上升为一级学科，不断缩小差距。
此外，与传统的硅（Si）相比，当前第三代半导体材料的成本依旧较高，如一块SiC单晶衬底的成本约为相同规格Si基板的5倍。不过随着技术的不断发展，2025年这一成本将有望降至2倍。
当前「国产替代」的大潮与新能源汽车、5G通讯、光伏发电、消费电子等新兴领域的蓬勃发展对第三代半导体产业形成了双重利好，针对第三代半导体的产业投资金额也逐年提升。根据CASA统计，2019年该领域投资金额共计265.8亿元，同比上升54.53%，其中SiC项目金额220.8亿元，占比高达83.07%，GaN项目金额45亿元。
根据IHS Markit数据，在新能源汽车、消费电子等领域庞大需求的驱动下，预计到2027年SiC功率器件的市场规模将超过100亿美元，碳化硅衬底的市场需求也将大幅增长。
而根据Yole数据，2018年和2024年氮化镓射频器件市场规模分别约为6亿美金和20亿美金，复合增速为20.76%。
2024年中国第三代半导体市场规模将达到约61.3亿元人民币，复合增长率将达约38.2%。
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【 5G、快充、新能源，「第三代半导体」加速弯道超车|芯征程 | 新能源汽车】（36氪采访人员Aaron对本文亦有贡献）

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