英特尔推出Hybrid Bonding技术 推进高端封装演进( 二 )


然而,ODI 封装技术是另一种优化,通过添加 ODI 封装技术为客户进行定制。在右侧添加了支柱,允许最右侧的顶部管芯直接连接到封装,这使得可以将较小的 TSV 芯片面积用于硅通孔 (TSV),进而减少数量。这些支柱提供了直接向顶部晶片封装供电的能力。顶部的两个晶对下部的晶片有更高的带宽、更小的凸点、更小的通道。
对于如何推动封装的不断演进,Johanna Swan认为:“封装是一个差异化优势的区分因素,关键是客户。我们努力服务并提供独特的解决方案给客户,这也推动了我们关注技术。因此,封装的机会在于,随着继续为客户提供服务,客户的产品需求在不断进化,这才是真正推动封装技术需要转变的原因。客户的这种差异化需求也会推动相应的封装技术的出现。
为了满足客户的需求,晶圆制造企业开始致力于先进封装技术,这也将晶圆制造与封装两个环节的界线开始模糊。对于两者今后的发展趋势,Johanna Swan也表达了自己的理解:“在 10 微米间距的混合键合时,这两个世界已经开始融合,我开始研究我们正在使用的金属层的特征低于 10 微米,像 4 微米。晶圆制造和封装正在融合,这已经成为一个非常重要、有趣的创新场所,因为它们的尺寸相同,所以这种放置是非常令人兴奋的,使用具有封装测试技术的传统晶圆厂工具并创造出我们在封装方面进行创新的全新领域。
【 英特尔推出Hybrid Bonding技术 推进高端封装演进】(校对/清泉)