设备|晶圆制造全球第三，专利超1000项，中微公司对标前沿科技！( 二 )

二、受益LED新应用，MOCVD需求回暖
MiniLED等新应用市场爆发，MOCVD需求回暖。2020年受终端芯片价格下降及产能释放等影响，2020年LED设备市场呈下滑趋势。当前以MiniLED背光及直显、消毒及植物照明为代表的LED新兴市场需求放量背景下，MOCVD设备需求有望回暖。
2021年6月，中微公司推出专为高性能MiniLED量产设计的PrismoUniMax?MOCVD设备，助力LED芯片制造商提高产能，降低生产成本。该设备在帮助LED芯片制造商提高产能的同时能够有效地降低生产成本。
2020年我国第三代半导体产业电力电子和射频电子总产值超过100亿元，同比增长69.5%。其中SiC、GaN电力电子产值规模达44.7亿元，同比增长54%，相较前几年，中下游的增长速度加快。预计到2023年SiC、GaN电力电子器件的市场规模将超过150亿元。

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中微定增募投布局宽禁带功率器件外延生长设备。公司定增拟不超过100亿元，其中总投资37.56亿元用于中微临港总部和研发中心项目，搭建从产品技术研发、样品制造与模拟测试到大规模工业投产的全周期研发平台。临港总部和研发中心项目部分资金用于于公司新产品的研发项，主要研发产品包括7类，其中一种就是用于宽禁带功率器件（SiC）外延生产的量产型CVD设备，项目将由在化合物半导体外延工艺研发领域超过25年的主管人员牵头，目前处于研究阶段，预计将持续至2025年底。
三、定增加码研发投入，内生外延推进平台化建设
公司拟定增不超过100亿元，用于中微产业化基地建设项目、中微临港总部和研发中心项目和科技储备资金。

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中微产业化基地建设项目主要用于扩充公司现有设备产能，与主流半导体设备厂商合作，开发新产品线。公司计划在上海临港新片区及南昌市高新区新建生产基地，总规划建筑面积18万平米，临港产业化基地主要承担公司现有产品升级、新产品开发生产及扩充长。南昌产业化基地约14万平米，主要承担比较成熟的产品的规模量产及部分产品研发升级。
中微临港总部和研发中心项目将在上海临港新片区建立中微临港总部和研发中心，搭建从产品技术研发、样品制造与模拟测试到规模量产的全周期研发平台。12个项目已于2021年6月20日集中开工。新产品研发不仅包括等离子体刻蚀设备、薄膜沉积设备，还包括前瞻性技术研究、集成电路生产设备及零部件国产化、泛半导体设备产品的研发及产业化等。
总投资30.8亿元的科技储备资金将用于满足公司与合作伙伴在新产品的协作开发项目、对外投资并购项目等需求。其中新产品协作开发拟投资15.8亿元，用于包括红黄光MOCVD设备、大面积平板显示设备和集成电路设备、PECVD等化学薄膜设备以及集成电路光学检测设备的合作研发。对外投资并购项目拟投资不超过15亿元进行产业投资、并购，向上下游配套设备纵向延伸，在公司刻蚀和薄膜关键技术基础上横向扩展。通过外部协作及投资并购，公司借助外部优势资源，快速切入相关领域，抓住机遇，打造平台化设备公司。（国盛证券）

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总结：未来随着MiniLED、消毒及植物照明为代表的LED新兴市场需求放量，并且公司还将继续拓展功率器件等领域用CVD设备，MOCVD系列产品需求有望回升。

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