控制器|开关电源的MOSFET如何选择，看这篇就够了！( 三 )

图 10—低侧 FET 损耗与控制器占空比的关系。
请注意：低侧 FET 占空比为 1-控制器占空比，因此低侧 FET 导通时间随控制器占空比增加而缩短
图 11 显示了我们将高侧和低侧损耗组合到一起时总效率的变化情况。我们可以看到，这种情况下，高占空比时组合 FET 损耗最低，并且效率最高。效率从 94.5% 升高至 96.5% 。不幸的是，为了获得低输入电压，我们必须降低中间电压轨电源的电压，使其占空比增加，原因是它通过一个固定输入电源供电。因此，这样可能会抵消在 POL 获得的部分或者全部增益。另一种方法是不使用中间轨，而是直接从输入电源到 POL 稳压器，目的是降低稳压器数。这时，占空比较低，我们必须小心地选择 FET 。

图 11—总损耗与效率和占空比的关系
在有多个输出电压和电流要求的电源系统中，情况会更加复杂。对比不同 POL 稳压器占空比的效率、成本和体积。图 12 显示了一个系统，其输入电压为 28V ，共有 8 个负载， 4 个不同电压，范围为 3.3V 到 1.25V 。共有 3 种对比方法：1）无中间轨，直接通过输入电源提供 28V 电压，以实现 POL 稳压器的低占空比；2）使用 12V 中间轨， POL稳压器中等占空比；
3）使用 5V 中间轨，高 POL 稳压器占空比。图 13 和表 1 显示了对比结果。这种情况下，无中间轨电源的构架实现了最低成本， 12V中间轨电压的构架获得了最高效率，而 5V 中间轨电压构架则实现了最小体积。
因此，我们可以看到，对于这种大型系统而言，单POL电源情况下我们所看到的这些参数均没有明显的趋向。这是因为，使用多个稳压器时，除中间轨稳压器本身以外，每个稳压器都有其不同的负载电流和电压要求，而这些需求可能会相互冲突。研究这种情况的最佳方法是使用如 WEBENCH 电源设计师等工具，对不同的选项进行评估

图 12—表明输入、中间轨、负载点 (POL) 电源和负载的电源系统。
中间轨电压的不同选择为 28V（直接使用输入电源）、12V 和 5V 。这会带来不同的 POL 稳压器占空比。

【控制器|开关电源的MOSFET如何选择，看这篇就够了！】图 13 电源设计曲线图，其表明中间轨电压对电源系统效率、体积和成本的影响。