Intel|改个名字反超台积电？Intel 2024年搞定2nm( 二 )

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具体的量产时间上，Intel表示，Intel 4将于2022年下半年投产，2023年出货，产品包括面向客户端的Meteor Lake和面向数据中心的Granite Rapids 。
● Intel 3
Intel 3 将继续获益于FinFET，相比前代的Intel 4，Intel 3将在每瓦性能上实现约18%的提升。这是一个比通常的标准全节点改进水平更高的晶体管性能提升。

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Intel称，Intel 3实现了更高密度、更高性能的库；提高了内在驱动电流；通过减少通孔电阻，优化了互连金属堆栈；与Intel 4相比，Intel 3在更多工序中增加了更多的EUV的使用。
Intel 3将于2023年下半年开始生产相关产品。
虽然Intel并未公布Intel 3所对应的Intel自身此前制程节点，或者其他友商的制程节点，但是从Intel的介绍来看，Intel 3应该相当于Intel原来的5nm，而在具体每瓦功耗性能上可能相当于台积电的3nm工艺。这也是为何英特将其以Intel 3 命名的原因。
● Intel 20A
随着制程工艺越来越接近于原子水平的“1纳米”节点，工艺制程的优化和提升将会变的越来越困难，因此，Intel将再度改变命名方式，将在Intel 3之后的下一个节点将被命名为Intel 20A（20埃米），以更好地反映更为细节上的创新。
而为了实现Intel 20A制程，Intel将会引入全新的两项突破性技术PowerVia和RibbonFET 。

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所谓RibbonFET实际上就是Intel研发的Gate All Around（GAA）晶体管。Intel表示，RibbonFET可提供更快的晶体管开关速度，同时以更小的占用空间实现与多鳍结构相同的驱动电流。不过，Intel并未介绍其GAA晶体管架构与台积电、三星的GAA的区别。

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△以上为Intel提供的演示动画，并不代表最终实际产品形态
根据之前的资料显示，台积电将会采用典型的GAA形式——GAAFET是（Gate-all-around FETs），即采用的是纳米线沟道设计，沟道整个外轮廓都被栅极完全包裹，代表栅极对沟道的控制性更好。相比之下，传统的FinFET 沟道仅3 面被栅极包围。GAAFET 架构的晶体管提供比FinFET 更好的静电特性，可满足某些栅极宽度的需求。这主要表现在同等尺寸结构下，GAA 的沟道控制能力强化，尺寸可以进一步微缩。
而三星三星认为采用纳米线沟道设计不仅复杂，且付出的成本可能也大于收益。因此，三星设计了一种全新的GAA形式——MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），采用多层堆叠的纳米片来替代GAAFET中的纳米线。这种纳米片设计已被研究机构IMEC当作FinFET 架构后续产品进行大量研究，并由IBM 与三星和格罗方德合作发展。
而从Intel公布的演示动画来看，Intel可能采用了类似三星GAA的纳米片架构设计。
至于PowerVia，则是Intel独有、业界首个背面电能传输网络。传统的互连技术是在晶体管层的顶部进行互联，由此产生的电源线和信号线的互混，导致了布线效率低下的问题，会影响性能和功耗。对此Intel创新性的把电源线置于晶体管层的下面（即晶圆的背面），通过消除晶圆正面的电源布线需求，可以腾出更多的资源用于优化信号布线并减少时延，通过减少下垂和降低干扰，也有助于实现更好的电能传输，这使得Intel可以根据产品需求对性能功耗或面积进行优化。