Intel|改个名字反超台积电？Intel 2024年搞定2nm( 三 )

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根据Intel的预计，其Intel 20A制程将在2024年推出。此外，Intel还透露将会在2025年推出18A制程。

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Intel高级副总裁兼技术开发总经理Ann Kelleher博士表示：“Intel有着悠久的制程工艺基础性创新的历史，这些创新均驱动了行业的飞跃。我们引领了从90纳米应变硅向45纳米高K金属栅极的过渡，并在22纳米时率先引入FinFET 。凭借RibbonFET和PowerVia两大开创性技术，Intel 20A将成为制程技术的另一个分水岭。”

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△Intel高级副总裁兼技术开发总经理Ann Kelleher博士
二、率先采用High-NA EUV工艺
极紫外（EUV）光刻技是采用高度复杂的透镜和反射镜光学系统，将13.5纳米波长的光对焦，从而在硅片上刻印极微小的图样。而目前ASML是全球唯一的EUV光刻机供应商。目前要实现7nm以下的先进制程，都必须要使用EUV光刻机。
从7nm工艺开始，部分工艺已经采用了NA(Numerical Aperture)=0.33的EUV光刻设备，并通过降低波长来实现5nm工艺，但对于2nm以后的超精细工艺，需要实现更高的分辨率光刻设备。
Intel要想实现20A制程，则需要依赖于ASML的下一代高数值孔径（High-NA）的EUV光刻机。
ASML去年已经完成了High-NA EUV光刻设备NXE：5000系列的基本设计，计划于2022年左右商业化。
Intel表示，其有望率先获得业界第一台High-NA EUV光刻机，同时也将是业界首家将High-NA EUV光刻机应用到量产环节的厂商。这也是Intel在制程工艺上能够重回领先地位的关键。
三、2024年超越台积电
从公布的相关制程节点的量产时间来看，Intel将自今年开始量产Intel 7 制程，此后每一年将会推出新一代的全新制程，这相比之前Intel本就已经多次延宕的“Tick-Tock”节奏成倍提升。根据Intel公布的信息，其将在2025年量产20A（20埃米，相当于2nm）制程。
如果Intel20A制程能够如期量产的话，那么无疑将赶上台积电的节奏。按照台积电的规划，其2022年将会量产3nm制程，最快2024年量产2nm制程，而台积电的1nm尚未有相关信息。也就是说，Intel将会藉由2024年的20A制程，从而实现对台积电的反超（按照晶体管密度来衡量，Intel20A性能上可能相当于台积电的1nm制程），重新成为继续推动摩尔定律前进的领军企业。
“摩尔定律仍在持续生效。对于未来十年走向超越‘1纳米’节点的创新，Intel有着一条清晰的路径。我想说，在穷尽元素周期表之前，摩尔定律都不会失效，Intel将持续利用硅的神奇力量不断推进创新。”Intel公司CEO帕特·基辛格非常有信心的说到。

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四、先进封装技术再度升级
随着摩尔定律推进的速度的放缓，以及先进制程所能够带来的经济效益大幅减少（性能提升逐步减少，成本却持续大幅提升），先进封装技术已经成为了继续推进摩尔定律的经济效益的重要手段。
目前业界流行的多芯片先进封装架构，基本原则都是使用最优制程工艺制作不同IP模块，然后借助各种封装方式，在一个封装内实现多个芯片间以及与小芯片之间的高带宽、低时延的高速互联，构成一个异构计算平台，同时使得整个芯片封装体实现类似单芯片SoC的性能，但是成本却大幅低于单芯片SoC 。