Intel|改个名字反超台积电？Intel 2024年搞定2nm( 四 )

文章图片

作为先进封装领域的领军企业，Intel早在2017年实现了基于2.5D封装技术EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）产品的出货。Sapphire Rapids是基于EMIB技术批量出货的首个Intel至强数据中心产品。
Intel表示，它也是业界首个提供几乎与单片设计相同性能的，但整合了两个光罩尺寸的器件。继Sapphire Rapids之后，下一代EMIB的凸点间距将从55微米缩短至45微米。
随后在2018年年底的Intel架构日活动上，Intel推出了业界首创的3D逻辑芯片封装技术——Foveros 3D，它可实现在逻辑芯片上堆叠不同制程的逻辑芯片。以前只能把逻辑芯片和存储芯片连在一起，因为中间的带宽和数据要求要低一些。而Foveros 3D则可以把不同制程的逻辑芯片堆叠在一起，实现晶圆级封装，裸片间的互联间隙只有50μm，同时可保证连接的带宽足够大、速度够快、功耗够低，而且3D的堆叠封装形式，还可以保持较小的面积。
据Intel介绍，Meteor Lake是在客户端产品中实现Foveros技术的第二代部署。该产品具有36微米的凸点间距，不同晶片可基于多个制程节点，热设计功率范围为5-125W 。
除了EMIB、Foveros 3D等封装技术之外，在2019年7月于美国旧金山举行的SEMICON West大会上，Intel又公布旗下三项全新的先进芯片封装技术：Co-EMIB、ODI和MDIO 。
Co-EMIB就是利用高密度的互连技术，将EMIB 2D封装和Foveros 3D封装技术结合在一起，实现高带宽、低功耗，以及相当有竞争力的I/O密度。
ODI（Omni-Directional Interconnect）就是全方位互连技术，可以为封装中小芯片之间的全方位互连通信提供更大的灵活性。
MDIO（Multi-Die IO），即多裸片输入输出，是AIB（高级互连总线）的进化版，为EMIB提供一个标准化的SiP PHY级接口，可互连多个小芯片。
在今天的线上会议上，Intel又推出了全新的封装技术Foveros Omni和Foveros Direct 。
据介绍，Foveros Omni开创了下一代Foveros技术，通过高性能3D堆叠技术为裸片到裸片的互连和模块化设计提供了无限制的灵活性。Foveros Omni允许裸片分解，将基于不同晶圆制程节点的多个顶片与多个基片混合搭配，凸点密度翻了四倍，达到了1600 IO/mm? 。

文章图片

而Foveros Direct实现了向直接铜对铜键合的转变，它可以实现低电阻互连，并使得从晶圆制成到封装开始，两者之间的界限不再那么截然。Foveros Direct实现了10微米以下的凸点间距，使3D堆叠的互连密度提高了一个数量级，为功能性裸片分区提出了新的概念，这在以前是无法实现的。

文章图片

Intel表示，Foveros Omni预计将于2023年用到量产的产品中。Foveros Direct则是对Foveros Omni的补充，预计也将于2023年用到量产的产品中。
五、Intel代工服务获得突破
在今年的3月的在主题为“Intel发力：以工程技术创未来”的全球直播活动上，新上任的IntelCEO基辛格公布了Intel的IDM 2.0战略，宣布投资200亿美元在美国新建两座晶圆厂，并重启了Intel的代工服务（IFS）。
而对于代工业务来说，最为关键的两大因素就是产能和技术。
在技术上，Intel目前在先进封装技术领域处于业界领先地位，并拥有多项独有技术。但是在先进制程技术上，Intel相比台积电处于落后地位。不过，根据Intel今天最新公布的路线图来看，如果一切都能够按照既定的时间节点落实的话，那么Intel将会在2024年在制程工艺上实现对台积电的反超。